AOD407 与 SPD18P06P G 区别
| 型号 | AOD407 | SPD18P06P G | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOD407 | A-SPD18P06P G | ||||||||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | - | 6.22mm | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 115mΩ@12A,10V | 130mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 5.8ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | -60V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 50W | 80W | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 22nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | 10V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 4S | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 24.5ns | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | -12A | 18.6A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 系列 | - | SPD18P06 | ||||||||
| 长度 | - | 6.5mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 11ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 12ns | ||||||||
| 高度 | - | 2.3mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 8,493 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥5.64
|
8,493 | 当前型号 | ||||||||||
|
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 27W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 57W(Tc) 110mΩ@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 18A 55V D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 79W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V P-Channel 55V 20A D-PAK(TO-252AA) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
SPD18P06P G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 18.6A 130mΩ 10V 80W P-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
